摘要:本發(fā)明公開了一種磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法,該方法將基體預(yù)處理后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備中,以平面Si靶作為Si元素的來源,通過調(diào)整中頻脈沖電源的功率控制Si靶的。

二氫化硅人工蛋白石晶體(opal)的制備及其結(jié)構(gòu)性質(zhì)的研究納米球刻蝕法制備的二維有序的CdS納米陣列及其光學(xué)性質(zhì)的研究室溫下Ⅱ-Ⅵ族納米晶粒在Si襯底上的化學(xué)自組裝。

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四氫化硅的化學(xué)反應(yīng)在室溫下,硅烷是一種易燃的氣體,在空氣Zhong,無需外加火源,硅烷可以自燃。但是有學(xué)者認Wei,硅烷本身是很穩(wěn)定的,在自然狀態(tài)下,是以聚He物的狀態(tài)存。

路易斯堿穩(wěn)定的氫化硅亞胺:二胺基氯硅烷與氮雜環(huán)卡賓的反應(yīng)性研究崔海燕a,崔春明ba南京農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院江蘇省農(nóng)藥學(xué)實驗室南京;b南開大學(xué)元素有機化學(xué)。

四氫化硅，無色氣體，有惡臭味。別名為硅烷、甲硅烷、單硅烷、硅甲烷。四氫化硅為有毒氣體，人體吸入后會造成頭暈、發(fā)熱、惡心，昏迷等癥狀。物質(zhì)常數(shù)英文名稱S。詳情>>物質(zhì)常數(shù)-環(huán)境影響-監(jiān)測方法-處置方法-全部

它的熱穩(wěn)定性比二氯硅烷好,在900℃時分解產(chǎn)生氯化物有毒煙霧(常溫狀態(tài)三氯氫硅HC。在氫化鋁鋰、氫化硼鋰存在條件下,SiHCl3可被還原為硅烷。容器中的液態(tài)SiHCl3當(dāng)容。詳情>>基本信息-安全防護-危險分析-全部

四氫化硅，無色氣體，有惡臭味。別名為硅烷、甲硅烷、單硅烷、硅甲烷。四氫化硅為有毒氣體，人體吸入后會造成頭暈、發(fā)熱、惡心，昏迷等癥狀。物質(zhì)常數(shù)英文名稱S。詳情>>物質(zhì)常數(shù)-環(huán)境影響-監(jiān)測方法-處置方法-全部

二氯硅烷在常溫常壓下為具有刺激性窒息氣味和腐蝕性的無色有毒氣體?？諝庵幸兹迹?4℃以上能自燃，燃燒氧化后生成氯化氫和氧化硅。加熱100℃以上時會自行分解。詳情>>簡介-理化性質(zhì)-毒性-安全防護

3-二異丙基-4,5-二甲基咪唑-2-亞基(IiPr)均不反應(yīng),但是其與位阻較小的1,3,4,5-四甲基咪唑-2-亞基(IMe_4)反應(yīng)生成氫化硅亞胺3.支持CAJ、PDF文件格式,僅支持PDF格式快捷。

摘要:本發(fā)明提供一種結(jié)合氫化硅與氦化硅制作三結(jié)基材型硅薄膜太陽能電池,此技術(shù)包括玻璃、透明導(dǎo)電層、金屬背電極、透明導(dǎo)電層、N型氫化微晶硅薄膜、I型氫化。

和一些更的硅氫化合物。目前應(yīng)用多的是甲硅烷。一般把甲硅烷簡稱做硅烷。硅。硅烷、四氫化硅、甲硅烷、甲矽烷分子量32.12沸點-111.9℃密度1.44g/L(0℃,1bar。詳情>>理化性質(zhì)-制備-應(yīng)用-全部

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測二氫化硅的儀器二氧化硅含量測定產(chǎn)品概述:儀器采用單色冷光源,利用微電腦自動處理數(shù)據(jù),直接顯示水樣的二氧化硅濃度值。廣泛適用于飲用水、地表水、地面水、污水和。

生成硅酸和氫氣.四氫化硅中的氫為-1價.=-=Zheng負氫歸中了,是氧化還原反應(yīng)相關(guān)試題3現(xiàn)有7種物質(zhì):①干冰②金剛石③四氫化碳④晶體硅⑤過氧化鈉⑥二氧化硅晶體⑦氯。

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以四氯化硅(TCS)為催化劑,在乙醇中3,5-二溴苯乙酮經(jīng)縮合反應(yīng)合成了1,3-二(3,5-二溴苯基)丁烯-2-酮-1和1,3,5-三(3,5-二溴苯基)苯,產(chǎn)率分別為24%和30%,并討論了該反應(yīng)的。

摘要以四氯化硅(TCS)為催化劑,在乙醇中3,5-二溴苯乙酮經(jīng)縮合反應(yīng)合成了1,3-二(3,5-二溴苯基)丁烯-2-酮-1和1,3,5-三(3,5-二溴苯基)苯,產(chǎn)率分別為24%和30%,并討論了該。

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條件下制備了一系列的氫化硅氧(SiO_x∶H)薄膜。運用Raman譜、XRD和紫外-可見光透射譜(UV-VIS)對材料的微結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性進行測試與分析。實驗發(fā)現(xiàn),薄膜沉積速率高達。